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使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOSIC与MEMS

时间:2022-07-01 00:23 点击次数:
  本文摘要:概述创立基于传感器的物联网(IoT)边缘器件不会牵涉到多个设计领域,因此极具挑战性(图1)。但是,在同一硅片上创立一个既有使用传统CMOSIC流程制作的电子器件,又有MEMS传感器的边缘器件或许并不大现实。实质上,许多IoT边缘器件不会在单个PCB中构建多个芯片,将电子器件与MEMS设计分离。TannerAMSIC设计流程反对单芯片或多芯片技术,因而有助顺利构建IoT边缘器件的设计和检验。 不过,本文将侧重讲解在单个芯片上融合CMOSIC与MEMS设计的独有挑战。

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概述创立基于传感器的物联网(IoT)边缘器件不会牵涉到多个设计领域,因此极具挑战性(图1)。但是,在同一硅片上创立一个既有使用传统CMOSIC流程制作的电子器件,又有MEMS传感器的边缘器件或许并不大现实。实质上,许多IoT边缘器件不会在单个PCB中构建多个芯片,将电子器件与MEMS设计分离。TannerAMSIC设计流程反对单芯片或多芯片技术,因而有助顺利构建IoT边缘器件的设计和检验。

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不过,本文将侧重讲解在单个芯片上融合CMOSIC与MEMS设计的独有挑战。图1:一个典型IoT边缘器件,牵涉到数字、仿真、射频和MEMS领域理解设计流程Tanner设计流程(图2)为AMSIC设计获取了一个原始的环境。图2:TannerAMS设计流程不过,多年以来,Tanner反对自上而下的MEMSIC流程(图3),能让客户将MEMS设计带入这一流程中。


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